JST150N30T2 Todos los transistores

 

JST150N30T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JST150N30T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 735 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JST150N30T2 Datasheet (PDF)

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JST150N30T2

JST150N30T230V,150AN-Channel MosfetFEATURESTO-252RDS(ON)2.6m @VGS=10V RDS(ON)3.4m @VGS=4.5VSimple Drive RequirementLow On-resistanceMARKING N-CHANNEL MOSFETYYXX Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CMax. Symbol Parameter UnitsTO-252-4RV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSST = 25

Otros transistores... IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , JST100N30T2 , STP75NF75 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 .

History: MTE65N20H8 | FDN86265P | TK7P60W | IRLZ44S | STB24N65M2 | PHP36N06E

 

 
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