JST150N30T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JST150N30T2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JST150N30T2
JST150N30T2 Datasheet (PDF)
jst150n30t2.pdf

JST150N30T230V,150AN-Channel MosfetFEATURESTO-252RDS(ON)2.6m @VGS=10V RDS(ON)3.4m @VGS=4.5VSimple Drive RequirementLow On-resistanceMARKING N-CHANNEL MOSFETYYXX Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CMax. Symbol Parameter UnitsTO-252-4RV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSST = 25
Другие MOSFET... IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , JST100N30T2 , STP75NF75 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 .
History: SFG170N10PF | FDMS86263P | SRT08N100LD | IRF7307PBF | SFG280N08PF | 2N6451 | SFG60N12GF
History: SFG170N10PF | FDMS86263P | SRT08N100LD | IRF7307PBF | SFG280N08PF | 2N6451 | SFG60N12GF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852