Справочник MOSFET. JST150N30T2

 

JST150N30T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JST150N30T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JST150N30T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST150N30T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1274K  jestek
 jst150n30t2.pdf pdf_icon

JST150N30T2

JST150N30T230V,150AN-Channel MosfetFEATURESTO-252RDS(ON)2.6m @VGS=10V RDS(ON)3.4m @VGS=4.5VSimple Drive RequirementLow On-resistanceMARKING N-CHANNEL MOSFETYYXX Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CMax. Symbol Parameter UnitsTO-252-4RV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSST = 25

Другие MOSFET... IRF7104PBF , IRF7105PBF , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , JST100N30T2 , STP75NF75 , JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 .

 

 
Back to Top

 


 
.