Справочник MOSFET. JST150N30T2

 

JST150N30T2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JST150N30T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для JST150N30T2

 

 

JST150N30T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1274K  jestek
 jst150n30t2.pdf

JST150N30T2 JST150N30T2

JST150N30T230V,150AN-Channel MosfetFEATURESTO-252RDS(ON)2.6m @VGS=10V RDS(ON)3.4m @VGS=4.5VSimple Drive RequirementLow On-resistanceMARKING N-CHANNEL MOSFETYYXX Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CMax. Symbol Parameter UnitsTO-252-4RV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSST = 25

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2N6661JANTXV

 

 
Back to Top