STE100N20 Todos los transistores

 

STE100N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE100N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
  Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3600(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: ISOTOP

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STE100N20 datasheet

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STE100N20

STE100N20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE100N20 200 V

Otros transistores... STD8N06-1 , STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , P55NF06 , STE150N10 , STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 .

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