STE100N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STE100N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 505 nC
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3600(max) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
STE100N20 Datasheet (PDF)
..1. Size:152K 1
ste100n20.pdf
ste100n20.pdf
STE100N20N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE100N20 200 V
Другие MOSFET... STD8N06-1 , STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , 2SK3878 , STE150N10 , STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 .
