JST60N30T2 Todos los transistores

 

JST60N30T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JST60N30T2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JST60N30T2 Datasheet (PDF)

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JST60N30T2

JST60N30T2 N-Channel Power MOSFETFEATURESTO-252-2L RDS(ON) 9m @VGS=10V RDS(ON) 12m @VGS=4.5V1. GATE 212. DRAIN33. SOURCEAPPLICATIONS Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible Power SupplyMARKING EQUIV ALENT CIRCUITYYMM=Date CodeMAXIMUM RATINGS ( Ta=25 unless otherwise noted )Symbol Limit Unit

Otros transistores... JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , 5N60 , JST80N30T2A , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 .

History: SSD20N10-250D | IRF8714G | SWN6N80D

 

 
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