JST60N30T2 - описание и поиск аналогов

 

JST60N30T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JST60N30T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JST60N30T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST60N30T2 даташит

 ..1. Size:1546K  jestek
 jst60n30t2.pdf pdf_icon

JST60N30T2

JST60N30T2 N-Channel Power MOSFET FEATURES TO-252-2L RDS(ON) 9m @VGS=10V RDS(ON) 12m @VGS=4.5V 1. GATE 2 1 2. DRAIN 3 3. SOURCE APPLICATIONS Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible Power Supply MARKING EQUIV ALENT CIRCUIT YYMM=Date Code MAXIMUM RATINGS ( Ta=25 unless otherwise noted ) Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , IRLB4132 , JST80N30T2A , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 .

History: JST80N30T2A

 

 

 


 
↑ Back to Top
.