Справочник MOSFET. JST60N30T2

 

JST60N30T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JST60N30T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JST60N30T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST60N30T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1546K  jestek
 jst60n30t2.pdf pdf_icon

JST60N30T2

JST60N30T2 N-Channel Power MOSFETFEATURESTO-252-2L RDS(ON) 9m @VGS=10V RDS(ON) 12m @VGS=4.5V1. GATE 212. DRAIN33. SOURCEAPPLICATIONS Power switching application Hard switched and high frequency circuits Uninterruptible Power SupplyMARKING EQUIV ALENT CIRCUITYYMM=Date CodeMAXIMUM RATINGS ( Ta=25 unless otherwise noted )Symbol Limit Unit

Другие MOSFET... JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , 5N60 , JST80N30T2A , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 .

History: NCEP033N10M | SQ2348ES-T1 | PZ5G7EA | FS30AS-06 | JCS12N65FT | FDMS86250 | NTMD6N02R2

 

 
Back to Top

 


 
.