JST80N30T2A Todos los transistores

 

JST80N30T2A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JST80N30T2A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JST80N30T2A Datasheet (PDF)

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JST80N30T2A

JST80N30T2A30V N-Channel MosfetTO-252-2LFEATURESRDS(ON) 5m @VGS=10VRDS(ON) 7.5m @VGS=4.5VAPPLICATIONSLoad SwitchPWM ApplicationPower ManagementMARKING N-CHANNEL MOSFETYYMM:Date Code(year&month)Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Param Max. UnitsbolV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSS

Otros transistores... JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , JST60N30T2 , AO3400 , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 , JSM3420S .

History: MTEF1P15AV8 | FDD6296 | WST4040 | SE100130GA | SD10425 | SI7388DP

 

 
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