JST80N30T2A - описание и поиск аналогов

 

JST80N30T2A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: JST80N30T2A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JST80N30T2A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST80N30T2A даташит

 ..1. Size:882K  jestek
 jst80n30t2a.pdf pdf_icon

JST80N30T2A

JST80N30T2A 30V N-Channel Mosfet TO-252-2L FEATURES RDS(ON) 5m @VGS=10V RDS(ON) 7.5m @VGS=4.5V APPLICATIONS Load Switch PWM Application Power Management MARKING N-CHANNEL MOSFET YYMM Date Code(year&month) Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified) C Symbol Param Max. Units bol V Drain-Source Voltage 30 V DSS V Gate-Source Voltage 20 V GSS

Другие MOSFET... JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , JST60N30T2 , AO3401 , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 , JSM3420S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.