Справочник MOSFET. JST80N30T2A

 

JST80N30T2A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JST80N30T2A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JST80N30T2A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST80N30T2A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  jestek
 jst80n30t2a.pdf pdf_icon

JST80N30T2A

JST80N30T2A30V N-Channel MosfetTO-252-2LFEATURESRDS(ON) 5m @VGS=10VRDS(ON) 7.5m @VGS=4.5VAPPLICATIONSLoad SwitchPWM ApplicationPower ManagementMARKING N-CHANNEL MOSFETYYMM:Date Code(year&month)Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Param Max. UnitsbolV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSS

Другие MOSFET... JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , JST60N30T2 , AO3400 , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 , JSM3420S .

History: GSM4214W | NTTFS5D1N06HL

 

 
Back to Top

 


 
.