Справочник MOSFET. JST80N30T2A

 

JST80N30T2A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JST80N30T2A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для JST80N30T2A

 

 

JST80N30T2A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:882K  jestek
 jst80n30t2a.pdf

JST80N30T2A JST80N30T2A

JST80N30T2A30V N-Channel MosfetTO-252-2LFEATURESRDS(ON) 5m @VGS=10VRDS(ON) 7.5m @VGS=4.5VAPPLICATIONSLoad SwitchPWM ApplicationPower ManagementMARKING N-CHANNEL MOSFETYYMM:Date Code(year&month)Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Param Max. UnitsbolV Drain-Source Voltage 30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top