SNN1000L10D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SNN1000L10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.9 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SNN1000L10D

SNN1000L10D Datasheet (PDF)

..1. Size:561K auk
snn1000l10d.pdf

SNN1000L10DN-Ch Trench MOSFETPower Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low gate charge device Low drain-source On resistance: R =68m (Typ.) DS(on)D Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test Ordering Information GSPart Number Marking Package TO-252 SNN1000L10D SNN1000L10 TO-25

..2. Size:719K kodenshi
snn1000l10d.pdf

SNN1000L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=68m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S TO-252 Part Number Marking Package SNN1000L10D SNN1000L10 TO-252

9.1. Size:752K auk
snn10r10ld.pdf

SNN10R10LD N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low R & FOM DS(on)D Low drain-source On resistance: R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G Ordering Information S Part Number Marking Package TO-252 SNN10R10LD SNN10R10L TO-252 M

9.2. Size:713K auk
snn10r10lf.pdf

SNN10R10LF N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BV =100V DSS Low R & FOM DS(on) Low drain-source On resistance: R =8.5m (Typ.) DS(on) Fast switching and soft recovery Extremely low switching loss G D S Ordering Information Part Number Marking Package TO-220F-3L SNN10R10LF SNN10R10L TO-220F-3L

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Liste

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