Справочник MOSFET. SNN1000L10D

 

SNN1000L10D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SNN1000L10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.9 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC
   Время нарастания (tr): 25.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 46 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SNN1000L10D

 

 

SNN1000L10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:719K  kodenshi
 snn1000l10d.pdf

SNN1000L10D SNN1000L10D

SNN1000L10D N-Ch Trench MOSFET Power Switching Application Features Drain-source breakdown voltage: BVDSS=100V Low gate charge device D Low drain-source On resistance: RDS(on)=68m (Typ.) Advanced trench process technology High avalanche energy, 100% test G Ordering Information S TO-252 Part Number Marking Package SNN1000L10D SNN1000L10 TO-252

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top