ME04N25-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME04N25-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
ME04N25-G Datasheet (PDF)
me04n25 me04n25-g.pdf
ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to
me04n25.pdf
ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to
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History: AOSX32128 | IPP083N10N5
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Liste
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