ME04N25-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME04N25-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de ME04N25-G MOSFET
ME04N25-G Datasheet (PDF)
me04n25 me04n25-g.pdf
ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to
me04n25.pdf
ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to
Otros transistores... JSM4953 , JSM9435 , G2302 , KI2301 , K2N7002K , SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , IRFP250 , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643