Справочник MOSFET. ME04N25-G

 

ME04N25-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME04N25-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME04N25-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME04N25-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:574K  matsuki electric
 me04n25 me04n25-g.pdf pdf_icon

ME04N25-G

ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

 7.1. Size:480K  matsuki electric
 me04n25.pdf pdf_icon

ME04N25-G

ME04N25/ME04N25-G N-Channel 250-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)1.8@VGS=10V The ME04N25 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)2.0@VGS=5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... JSM4953 , JSM9435 , G2302 , KI2301 , K2N7002K , SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , IRFP250 , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G .

 

 
Back to Top

 


 
.