ME10N15-G Todos los transistores

 

ME10N15-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME10N15-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.345 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ME10N15-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1083K  matsuki electric
 me10n15 me10n15-g.pdf pdf_icon

ME10N15-G

ME10N15/ME10N15-G N-Channel 150-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)345m@VGS=10V The ME10N15 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)365m@VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

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History: SFB087N120C2 | TMA10N60H | AUIRLS3036-7P | JS65R170ABM | KTK597TV | AOD402 | ELM34601AA

 

 
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