Справочник MOSFET. ME10N15-G

 

ME10N15-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME10N15-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.345 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME10N15-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME10N15-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1083K  matsuki electric
 me10n15 me10n15-g.pdf pdf_icon

ME10N15-G

ME10N15/ME10N15-G N-Channel 150-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)345m@VGS=10V The ME10N15 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)365m@VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... K2N7002K , SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , P60NF06 , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G .

History: 2SK1794 | ME2301DC-G | NCE55P30K | SPD50N06S2-14 | AP0603GM | SI4N65 | HYG210P06LQ1V

 

 
Back to Top

 


 
.