ME10N15-G - описание и поиск аналогов

 

ME10N15-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME10N15-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.345 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME10N15-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME10N15-G даташит

 ..1. Size:1083K  matsuki electric
 me10n15 me10n15-g.pdf pdf_icon

ME10N15-G

ME10N15/ME10N15-G N-Channel 150-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 345m @VGS=10V The ME10N15 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 365m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... K2N7002K , SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , AO4407 , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.