ME110N10T Todos los transistores

 

ME110N10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME110N10T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 217 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 943 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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ME110N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  matsuki electric
 me110n10t me110n10f.pdf pdf_icon

ME110N10T

ME110N10T/ME110N10FN-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.2m@VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h

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History: STP6N62K3 | IRF6646PBF | IRF5802PBF | STH7NA90FI | STT2604 | WTC9435 | STT3470N

 

 
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