ME110N10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME110N10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 217 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 140 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 943 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: TO220AB
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ME110N10T datasheet
me110n10t me110n10f.pdf
ME110N10T/ME110N10F N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.2m @VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h
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History: IPD85P04P4L-06 | IRF9952
History: IPD85P04P4L-06 | IRF9952
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