ME110N10T - описание и поиск аналогов

 

ME110N10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME110N10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 943 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для ME110N10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME110N10T даташит

 ..1. Size:705K  matsuki electric
 me110n10t me110n10f.pdf pdf_icon

ME110N10T

ME110N10T/ME110N10F N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.2m @VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h

Другие MOSFET... SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G , BS170 , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , ME12P04 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.