ME110N10T - аналоги и даташиты транзистора

 

ME110N10T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME110N10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 943 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для ME110N10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME110N10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  matsuki electric
 me110n10t me110n10f.pdf pdf_icon

ME110N10T

ME110N10T/ME110N10FN-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.2m@VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h

Другие MOSFET... SJMN60R15F , SJMN60R38F , SNN1000L10D , ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G , 18N50 , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , ME12P04 .

 

 
Back to Top

 


 
.