ME120N10T-G Todos los transistores

 

ME120N10T-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME120N10T-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1013 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de ME120N10T-G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ME120N10T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1399K  matsuki electric
 me120n10t me120n10t-g.pdf pdf_icon

ME120N10T-G

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.0m@VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

 8.1. Size:1428K  matsuki electric
 me120n04t.pdf pdf_icon

ME120N10T-G

ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4m@VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i

Otros transistores... ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , P0903BDG , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , ME12P04 , ME12P04-G , ME15N10-G , ME20N03 .

History: FDME430NT | RUH120N90R | IRFS31N20DP

 

 
Back to Top

 


 
.