ME120N10T-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME120N10T-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 250 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 180 nC
Tiempo de subida (tr): 45 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1013 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ME120N10T-G
ME120N10T-G Datasheet (PDF)
me120n10t me120n10t-g.pdf
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me120n04t.pdf
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ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4m@VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i
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