ME120N10T-G - описание и поиск аналогов

 

ME120N10T-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME120N10T-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1013 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ME120N10T-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME120N10T-G даташит

 ..1. Size:1399K  matsuki electric
 me120n10t me120n10t-g.pdf pdf_icon

ME120N10T-G

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5.0m @VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

 8.1. Size:1428K  matsuki electric
 me120n04t.pdf pdf_icon

ME120N10T-G

ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 4m @VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i

Другие MOSFET... ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , IRF1407 , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , ME12P04 , ME12P04-G , ME15N10-G , ME20N03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.