Справочник MOSFET. ME120N10T-G

 

ME120N10T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME120N10T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1013 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ME120N10T-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME120N10T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1399K  matsuki electric
 me120n10t me120n10t-g.pdf pdf_icon

ME120N10T-G

ME120N10T/ME120N10T-G N-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.0m@VGS=10V The ME120N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proce

 8.1. Size:1428K  matsuki electric
 me120n04t.pdf pdf_icon

ME120N10T-G

ME120N04T N-Channel 40V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)4m@VGS=10V The ME120N04T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high density process i

Другие MOSFET... ME04N25-G , ME08N20 , ME08N20-G , ME10N15 , ME10N15-G , ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , P0903BDG , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , ME12P04 , ME12P04-G , ME15N10-G , ME20N03 .

 

 
Back to Top

 


 
.