ME12P04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ME12P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: TO252
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ME12P04 datasheet
me12p04 me12p04-g.pdf
ME12P04/ME12P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME12P04 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 45m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 80m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low
Otros transistores... ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , SI2302 , ME12P04-G , ME15N10-G , ME20N03 , ME20N03-G , ME20N15 , ME20N15-G , ME20P03 , ME20P03-G .
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