ME12P04 - описание и поиск аналогов

 

ME12P04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME12P04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME12P04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME12P04 даташит

 ..1. Size:1111K  matsuki electric
 me12p04 me12p04-g.pdf pdf_icon

ME12P04

ME12P04/ME12P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME12P04 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 45m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 80m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

Другие MOSFET... ME110N10T , ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , SI2302 , ME12P04-G , ME15N10-G , ME20N03 , ME20N03-G , ME20N15 , ME20N15-G , ME20P03 , ME20P03-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.