ME12P04-G Todos los transistores

 

ME12P04-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ME12P04-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: TO252

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ME12P04-G datasheet

 ..1. Size:1111K  matsuki electric
 me12p04 me12p04-g.pdf pdf_icon

ME12P04-G

ME12P04/ME12P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME12P04 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 45m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 80m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

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