ME12P04-G Todos los transistores

 

ME12P04-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME12P04-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 91 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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ME12P04-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1111K  matsuki electric
 me12p04 me12p04-g.pdf pdf_icon

ME12P04-G

ME12P04/ME12P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME12P04 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)80m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

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History: WML07N100C2 | UPA2451BTL | IRL3713SPBF | STF6N90K5 | STP33N65M2 | 2SK667 | TK6P65W

 

 
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