ME12P04-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME12P04-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME12P04-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 91 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для ME12P04-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME12P04-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1111K  matsuki electric
 me12p04 me12p04-g.pdf pdf_icon

ME12P04-G

ME12P04/ME12P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME12P04 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)80m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

Другие MOSFET... ME110N10F , ME120N10T , ME120N10T-G , ME12N04 , ME12N04-G , ME12N15 , ME12N15-G , ME12P04 , 4N60 , ME15N10-G , ME20N03 , ME20N03-G , ME20N15 , ME20N15-G , ME20P03 , ME20P03-G , ME20P06 .

History: JMTG3005A | IXFN27N80

 

 
Back to Top

 


 
.