ME12P04-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME12P04-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20.3 nC
Время нарастания (tr): 56 ns
Выходная емкость (Cd): 91 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO252
ME12P04-G Datasheet (PDF)
..1. Size:1111K matsuki electric
me12p04 me12p04-g.pdf
me12p04 me12p04-g.pdf
ME12P04/ME12P04-G P- Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME12P04 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)80m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
