IRF7303PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7303PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SO-8
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IRF7303PBF datasheet
irf7303pbf.pdf
PD - 95177 IRF7303PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual N-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = 30V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.050 l Fast Switching l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc
irf7303.pdf
PD - 9.1239D IRF7303 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 Ultra Low On-Resistance D1 S1 VDSS = 30V Dual N-Channel Mosfet 2 7 G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.050 Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniq
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History: ME20P03-G
History: ME20P03-G
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