IRF7303PBF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRF7303PBF. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF7303PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF7303PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7303PBF даташит

 ..1. Size:230K  international rectifier
 irf7303pbf.pdf pdf_icon

IRF7303PBF

PD - 95177 IRF7303PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual N-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = 30V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.050 l Fast Switching l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc

 7.1. Size:578K  1
 auirf7303q.pdf pdf_icon

IRF7303PBF

 7.2. Size:111K  international rectifier
 irf7303.pdf pdf_icon

IRF7303PBF

PD - 9.1239D IRF7303 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 Ultra Low On-Resistance D1 S1 VDSS = 30V Dual N-Channel Mosfet 2 7 G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.050 Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniq

 7.3. Size:833K  cn vbsemi
 irf7303tr.pdf pdf_icon

IRF7303PBF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME20N15 , ME20N15-G , ME20P03 , ME20P03-G , ME20P06 , ME20P06-G , ME2301 , ME2301-G , IRFB31N20D , IRF7304PBF , IRF7306PBF , IRF7307PBF , IRF7309TRPBF-1 , IRF7311PBF , IRF7313PBF , IRF7314PBF , IRF7316PBF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.