STE180N10 Todos los transistores

 

STE180N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE180N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE180N10 Datasheet (PDF)

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STE180N10

STE180N10N - CHANNEL 100V - 5.5 m - 180A - ISOTOPPOWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE180N10 100 V

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STE180N10

STE180N05N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE180N05 50 V

 7.2. Size:262K  st
 ste180ne10.pdf pdf_icon

STE180N10

STE180NE10N-channel 100V - 4.5m - 180A - ISOTOPSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTE180NE10 100V

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