STE180N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE180N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: ISOTOP

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STE180N10 datasheet

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STE180N10

STE180N10 N - CHANNEL 100V - 5.5 m - 180A - ISOTOP POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE180N10 100 V

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STE180N10

STE180N05 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE180N05 50 V

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STE180N10

STE180NE10 N-channel 100V - 4.5m - 180A - ISOTOP STripFET Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STE180NE10 100V

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