STE180N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STE180N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 485 nC
trⓘ - Время нарастания: 230 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 4000 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
STE180N10 Datasheet (PDF)
ste180n10.pdf
STE180N10N - CHANNEL 100V - 5.5 m - 180A - ISOTOPPOWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE180N10 100 V
ste180n05.pdf
STE180N05N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE180N05 50 V
ste180ne10.pdf
STE180NE10N-channel 100V - 4.5m - 180A - ISOTOPSTripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTE180NE10 100V
Другие MOSFET... STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , STE100N20 , STE150N10 , STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , 7N65 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , STE26N50 , STE26NA90 , STE36N50 , STE36N50-DA .