IRF7389PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7389PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) VQgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de IRF7389PBF MOSFET
IRF7389PBF Datasheet (PDF)
irf7389pbf.pdf

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irf7389pbf-1.pdf

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irf7380qpbf.pdf

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