IRF7389PBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7389PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7389PBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7389PBF даташит
irf7389pbf.pdf
PD - 95462 IRF7389PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Complimentary Half Bridge 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 l Lead-Free P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
irf7389pbf-1.pdf
IRF7389PbF-1 HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET VDS 30 -30 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 2 7 G1 D1 0.029 0.058 (@V = 10V) GS 3 6 S2 D2 Qg (typical) 22 23 nC 4 5 G2 D2 ID 7.3 -5.3 A P-CHANNEL MOSFET SO-8 (@T = 25 C) A Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Tech
irf7389.pdf
PD - 91645 IRF7389 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Complimentary Half Bridge 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V Surface Mount 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utiliz
irf7380qpbf.pdf
PD - 96132B IRF7380QPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l N Channel MOSFET 73m @VGS = 10V l Surface Mount 80V 2.2A l Available in Tape & Reel l 150 C Operating Temperature l Lead-Free 1 8 S1 D1 2 7 Description G1 D1 Additional features of These HEXFET Power 3 6 S2 D2 MOSFET's are a 150 C junction operating 4
Другие MOSFET... IRF7328PBF , IRF7329PBF , IRF7331PBF , IRF7341PBF , IRF7342PBF , IRF7343PBF , IRF7379PBF , IRF7380PBF , IRF730 , IRF7480MTRPBF , IRF7483MTRPBF , IRF7488PBF , IRF7503PBF , IRF7504PBF , IRF7506PBF , IRF7507PBF , IRF7509PBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320






