IRF9389PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF9389PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 82 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: SO-8
Búsqueda de reemplazo de IRF9389PBF MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IRF9389PBF datasheet
irf9389pbf.pdf
IRF9389PbF HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 D1 VDS 30 -30 V 2 7 G1 D1 RDS(on) max 27 64 m 3 6 S2 D2 Qg (typical) 6.8 8.1 nC 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET ID Top View SO-8 6.8 -4.6 A (@TA = 25 C) Applications l High and Low Side Switches for Inverter l High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features Benefits High and low-side MOSFETs i
irf9389.pdf
IRF9389PbF HEXFET Power MOSFET N-CH P-CH N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 D1 VDS 30 -30 V 2 7 G1 D1 RDS(on) max 27 64 m 3 6 S2 D2 Qg (typical) 6.8 8.1 nC 4 5 G2 D2 P-CHANNEL MOSFET ID Top View SO-8 6.8 -4.6 A (@TA = 25 C) Applications l High and Low Side Switches for Inverter l High and Low Side Switches for Generic Half-Bridge Features Benefits High and low-side MOSFETs i
irf9389tr.pdf
IRF9389TR www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VG
irf9388pbf.pdf
PD - 97521 IRF9388PbF HEXFET Power MOSFET VDS -30 V VGS max 25 V RDS(on) max 11.9 m (@VGS = -10V) ID -12 A (@TA = 25 C) SO-8 Applications Adaptor Input Switch for Notebook PC Features and Benefits Resulting Benefits Features 25V VGS max Direct Drive at High VGS Industry-Standard SO8 Package Multi-Vendor Compatibility Environmentally Friendlier RoHS Compliant
Otros transistores... IRF7759L2PBF , IRF7779L2PBF , IRF7807ATRPBF-1 , IRF7807TRPBF-1 , IRF7807VTRPBF-1 , IRF7946TRPBF , IRF8010LPBF , IRF8301MTRPBF , IRF3710 , IRF9410PBf , IRF9520NPBF , IRF9530NLPBF , IRF9910PBF , IRF9952PBF , IRF9953PBF , IRF9956PBF , IRFB4410PBF .
History: IRFL4315
History: IRFL4315
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent