IRF9410PBf Todos los transistores

 

IRF9410PBf MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF9410PBf

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO-8

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IRF9410PBf datasheet

 ..1. Size:170K  international rectifier
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IRF9410PBf

PD - 95260 IRF9410PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology A l Ultra Low On-Resistance A 1 8 S D l N-Channel MOSFET VDSS = 30V 2 7 l Surface Mount S D l Very Low Gate Charge and 3 6 S D Switching Losses 4 5 G D RDS(on) = 0.030 l Fully Avalanche Rated l Lead-Free Top View Description Recommended upgrade IRF7403 or IRF7413 Fifth Generation HEXFETs from Int

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IRF9410PBf

PD - 9.1562A IRF9410 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology A A 1 8 S D Ultra Low On-Resistance VDSS = 30V 2 7 N-Channel MOSFET S D Surface Mount 3 6 S D Very Low Gate Charge and 4 5 G D Switching Losses RDS(on) = 0.030 Fully Avalanche Rated Top View Description Recommended upgrade IRF7403 or IRF7413 Fifth Generation HEXFETs from Internationa

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