IRF9410PBf MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF9410PBf
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF9410PBf

IRF9410PBf Datasheet (PDF)

..1. Size:170K international rectifier
irf9410pbf.pdf

PD - 95260IRF9410PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyAl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl N-Channel MOSFETVDSS = 30V2 7l Surface Mount S Dl Very Low Gate Charge and3 6S DSwitching Losses45G DRDS(on) = 0.030l Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeTop ViewDescriptionRecommended upgrade: IRF7403 or IRF7413Fifth Generation HEXFETs from Int

..2. Size:170K infineon
irf9410pbf.pdf

7.1. Size:114K international rectifier
irf9410.pdf

PD - 9.1562AIRF9410PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V Technology AA1 8S D Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30V2 7 N-Channel MOSFETS D Surface Mount3 6S D Very Low Gate Charge and4 5G DSwitching Losses RDS(on) = 0.030 Fully Avalanche RatedTop ViewDescriptionRecommended upgrade: IRF7403 or IRF7413Fifth Generation HEXFETs from Internationa

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Liste

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