Справочник MOSFET. IRF9410PBf

 

IRF9410PBf Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF9410PBf
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF9410PBf

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF9410PBf Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  international rectifier
 irf9410pbf.pdf pdf_icon

IRF9410PBf

PD - 95260IRF9410PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyAl Ultra Low On-ResistanceA1 8S Dl N-Channel MOSFETVDSS = 30V2 7l Surface Mount S Dl Very Low Gate Charge and3 6S DSwitching Losses45G DRDS(on) = 0.030l Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeTop ViewDescriptionRecommended upgrade: IRF7403 or IRF7413Fifth Generation HEXFETs from Int

 7.1. Size:114K  international rectifier
 irf9410.pdf pdf_icon

IRF9410PBf

PD - 9.1562AIRF9410PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V Technology AA1 8S D Ultra Low On-ResistanceVDSS = 30V2 7 N-Channel MOSFETS D Surface Mount3 6S D Very Low Gate Charge and4 5G DSwitching Losses RDS(on) = 0.030 Fully Avalanche RatedTop ViewDescriptionRecommended upgrade: IRF7403 or IRF7413Fifth Generation HEXFETs from Internationa

Другие MOSFET... IRF7779L2PBF , IRF7807ATRPBF-1 , IRF7807TRPBF-1 , IRF7807VTRPBF-1 , IRF7946TRPBF , IRF8010LPBF , IRF8301MTRPBF , IRF9389PBF , IRFB4227 , IRF9520NPBF , IRF9530NLPBF , IRF9910PBF , IRF9952PBF , IRF9953PBF , IRF9956PBF , IRFB4410PBF , IRFB7430PBF .

 

 
Back to Top

 


 
.