STE26N50 Todos los transistores

 

STE26N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE26N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

 Búsqueda de reemplazo de STE26N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STE26N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  1
 ste26n50.pdf pdf_icon

STE26N50

STE26N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE26N50 500 V

 8.1. Size:95K  1
 ste26na90.pdf pdf_icon

STE26N50

STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V

 8.2. Size:92K  st
 ste26na90.pdf pdf_icon

STE26N50

STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V

Otros transistores... STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , IRF1010E , STE26NA90 , STE36N50 , STE36N50-DA , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 .

 

 
Back to Top

 


 
.