STE26N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE26N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STE26N50
STE26N50 Datasheet (PDF)
ste26n50.pdf
STE26N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE26N50 500 V
ste26na90.pdf
STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V
ste26na90.pdf
STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V
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Liste
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