STE26N50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STE26N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 275 nC
trⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
STE26N50 Datasheet (PDF)
..1. Size:153K 1
ste26n50.pdf
ste26n50.pdf
STE26N50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE26N50 500 V
8.1. Size:95K 1
ste26na90.pdf
ste26na90.pdf
STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V
8.2. Size:92K st
ste26na90.pdf
ste26na90.pdf
STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOPFAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE26NA90 900 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
