STE26N50. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STE26N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
Аналог (замена) для STE26N50
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STE26N50 даташит
ste26n50.pdf
STE26N50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE26N50 500 V
ste26na90.pdf
STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE26NA90 900 V
ste26na90.pdf
STE26NA90 N - CHANNEL 900V - 0.25 - 26A - ISOTOP FAST POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE26NA90 900 V
Другие MOSFET... STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , IRF9540N , STE26NA90 , STE36N50 , STE36N50-DA , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m



