IRFH7084PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH7084PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00125 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN5X6
Búsqueda de reemplazo de IRFH7084PBF MOSFET
IRFH7084PBF Datasheet (PDF)
irfh7084pbf.pdf
StrongIRFET IRFH7084PbF Application HEXFET Power MOSFET Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications VDSS 40V Resonant mode power supplies DC/DC converters RDS(on) typ. 0.95m DC/AC Inverters 1.25mmax ID (Silicon Limited) 265A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Ga
irfh7084.pdf
StrongIRFET IRFH7084PbF Application HEXFET Power MOSFET Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications VDSS 40V Resonant mode power supplies DC/DC converters RDS(on) typ. 0.95m DC/AC Inverters 1.25mmax ID (Silicon Limited) 265A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Ga
irfh7085trpbf.pdf
StrongIRFET IRFH7085PbF HEXFET Power MOSFET Application VDSS 60V Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 2.6m Resonant mode power supplies DC/DC converters max 3.2m DC/AC Inverters ID (Silicon Limited) 147A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Gate, A
irfh7085pbf.pdf
StrongIRFET IRFH7085PbF HEXFET Power MOSFET Application VDSS 60V Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 2.6m Resonant mode power supplies DC/DC converters max 3.2m DC/AC Inverters ID (Silicon Limited) 147A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Gate, A
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History: IRFH7004PBF | ME110N10T
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