IRFH7084PBF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

IRFH7084PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: IRFH7084PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 127 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: PQFN5X6

Аналог (замена) для IRFH7084PBF

IRFH7084PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:748K infineon
irfh7084pbf.pdf

StrongIRFET IRFH7084PbF Application HEXFET Power MOSFET Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications VDSS 40V Resonant mode power supplies DC/DC converters RDS(on) typ. 0.95m DC/AC Inverters 1.25mmax ID (Silicon Limited) 265A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Ga

6.1. Size:706K international rectifier
irfh7084.pdf

7.1. Size:502K 1
irfh7085trpbf.pdf

StrongIRFET IRFH7085PbF HEXFET Power MOSFET Application VDSS 60V Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 2.6m Resonant mode power supplies DC/DC converters max 3.2m DC/AC Inverters ID (Silicon Limited) 147A ID (Package Limited) 100A Benefits Improved Gate, A

7.2. Size:500K international rectifier
irfh7085.pdf