IRFU3710Z-701PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFU3710Z-701PBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 69 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFU3710Z-701PBF
IRFU3710Z-701PBF Datasheet (PDF)
irfr3710zpbf irfu3710zpbf irfu3710z-701pbf.pdf
PD - 95513DIRFR3710ZPbFIRFU3710ZPbFIRFU3710Z-701PbFFeaturesl Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating TemperatureVDSS = 100Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 18ml Multiple Package OptionsGl Lead-FreeID = 42ADescription SThis HEXFET Power MOSFET utilizes thelatest pro
irfu3710z.pdf
PD - 94740AIRFR3710ZAUTOMOTIVE MOSFETIRFU3710ZHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel 175C Operating TemperatureRDS(on) = 18ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 42ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFETPower MOSFET utilizes the lat
irfu3710z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3710ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
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History: APT20M10JFLL
History: APT20M10JFLL
Liste
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