ISP12DP06NM Todos los transistores

 

ISP12DP06NM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ISP12DP06NM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm

Encapsulados: SOT223

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ISP12DP06NM datasheet

 ..1. Size:1203K  infineon
 isp12dp06nm.pdf pdf_icon

ISP12DP06NM

ISP12DP06NM MOSFET SOT-223-4 OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V Features 4 P-Channel Very low on-resistance R DS(on) 100% avalanche tested Normal Level 1 Enhancement mode 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Drain Pin 2

Otros transistores... IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , AO4407A , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS .

History: APQ07SN80BF | SM3023NSV | APQ08SN50BH | SM6019NSF

 

 

 

 

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