ISP12DP06NM - описание и поиск аналогов

 

ISP12DP06NM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISP12DP06NM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ISP12DP06NM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISP12DP06NM даташит

 ..1. Size:1203K  infineon
 isp12dp06nm.pdf pdf_icon

ISP12DP06NM

ISP12DP06NM MOSFET SOT-223-4 OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V Features 4 P-Channel Very low on-resistance R DS(on) 100% avalanche tested Normal Level 1 Enhancement mode 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Drain Pin 2

Другие MOSFET... IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , AO4407A , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS .

History: IRLI530NPBF | APQ4ESN50AF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.