ISP12DP06NM - аналоги и даташиты транзистора

 

ISP12DP06NM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ISP12DP06NM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для ISP12DP06NM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISP12DP06NM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1203K  infineon
 isp12dp06nm.pdf pdf_icon

ISP12DP06NM

ISP12DP06NMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDrainPin 2

Другие MOSFET... IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , AO3407 , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS .

History: 2SK2435 | ZXMN6A25G | 2N4393C1C | FDMC8588 | SSI60R260S2 | SI7157DP | APT60M80L2VR

 

 
Back to Top

 


 
.