ISP75DP06LM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISP75DP06LM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
- Selección de transistores por parámetros
ISP75DP06LM Datasheet (PDF)
isp75dp06lm.pdf

ISP75DP06LMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applications
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IPB16CN10NG | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | AP4407GS-HF | 2SK3679-01MR | AM7498N | TPCC8074
History: IPB16CN10NG | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | AP4407GS-HF | 2SK3679-01MR | AM7498N | TPCC8074



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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