Справочник MOSFET. ISP75DP06LM

 

ISP75DP06LM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ISP75DP06LM
   Маркировка: 75DP06LM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ISP75DP06LM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1169K  infineon
 isp75dp06lm.pdf pdf_icon

ISP75DP06LM

ISP75DP06LMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applications

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CS1N80A4H

 

 
Back to Top

 


 
.