ISP75DP06LM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ISP75DP06LM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для ISP75DP06LM
ISP75DP06LM Datasheet (PDF)
isp75dp06lm.pdf

ISP75DP06LMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applications
Другие MOSFET... IRL60SC216 , IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , BS170 , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , ISZ0901NLS , SIHFP450A , SIHFP450LC .
History: RUH1H150R | SKSS042N10N | STB9NK60Z | 3N60AF | SQ3426AEEV | 2SK3434-ZJ | 8205S
History: RUH1H150R | SKSS042N10N | STB9NK60Z | 3N60AF | SQ3426AEEV | 2SK3434-ZJ | 8205S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor