ISP75DP06LM - описание и поиск аналогов

 

ISP75DP06LM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISP75DP06LM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ISP75DP06LM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISP75DP06LM даташит

 ..1. Size:1169K  infineon
 isp75dp06lm.pdf pdf_icon

ISP75DP06LM

ISP75DP06LM MOSFET SOT-223-4 OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V Features 4 P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level 1 Enhancement mode 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications

Другие MOSFET... IRL60SC216 , IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , IRF730 , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , ISZ0901NLS , SIHFP450A , SIHFP450LC .

History: APQ4ESN50AF | FDMS8333L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.