ISZ0901NLS Todos los transistores

 

ISZ0901NLS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISZ0901NLS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL
 

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ISZ0901NLS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:903K  infineon
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ISZ0901NLS

ISZ0901NLSMOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for Charger applications Very Low FOM for High Frequency SMPSQOSS Low FOM for High Frequency SMPSSW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Superior thermal resista

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History: SSG4410N | SSG4492N

 

 
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