ISZ0901NLS - описание и поиск аналогов

 

ISZ0901NLS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISZ0901NLS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TSDSON-8FL

Аналог (замена) для ISZ0901NLS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISZ0901NLS даташит

 ..1. Size:903K  infineon
 isz0901nls.pdf pdf_icon

ISZ0901NLS

ISZ0901NLS MOSFET TSDSON-8 FL OptiMOSTM Power-MOSFET, 25 V (enlarged source interconnection) Features Optimized for Charger applications Very Low FOM for High Frequency SMPS QOSS Low FOM for High Frequency SMPS SW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% avalanche tested Superior thermal resista

Другие MOSFET... ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , IRF540N , SIHFP450A , SIHFP450LC , SIHFP460LC , LPM2301B3F , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F .

History: WML10N65D1B | WML10N70D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.