LPM2301B3F Todos los transistores

 

LPM2301B3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPM2301B3F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

LPM2301B3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  lowpower
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LPM2301B3F

Preliminary Datasheet LPM2301 LPM2301 -20V/-2A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m(typ.)@VGS=-2.5V The LPM2301 is the P-channel logic enhancement -20V/-2.0A,RDS(ON)=130m(typ.)@VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced Super high density cell design for extremely low using high

 8.1. Size:238K  lowpower
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LPM2301B3F

Preliminary Datasheet LPM2302 LPM2302 20V/3.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM2302 is N-channel logic enhancement mode 20V/3.5A, RDS(ON)=50m(Typ.)@VGS=4.5V power field effect transistor, which are produced by 20V/3.0A, R =75m(Typ.)@V =2.5V DS(ON) GSusing high cell density, DMOS trench technology. Sup

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History: VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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