LPM2301B3F Todos los transistores

 

LPM2301B3F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LPM2301B3F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: SOT23

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LPM2301B3F datasheet

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LPM2301B3F

Preliminary Datasheet LPM2301 LPM2301 -20V/-2A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m (typ.)@VGS=-2.5V The LPM2301 is the P-channel logic enhancement -20V/-2.0A,RDS(ON)=130m (typ.)@VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced Super high density cell design for extremely low using high

 8.1. Size:238K  lowpower
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LPM2301B3F

Preliminary Datasheet LPM2302 LPM2302 20V/3.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM2302 is N-channel logic enhancement mode 20V/3.5A, RDS(ON)=50m (Typ.)@VGS=4.5V power field effect transistor, which are produced by 20V/3.0A, R =75m (Typ.)@V =2.5V DS(ON) GS using high cell density, DMOS trench technology. Sup

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History: IPW60R070CFD7 | TK17A65W5 | STD12NF06

 

 

 

 

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