LPM2301B3F - описание и поиск аналогов

 

LPM2301B3F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LPM2301B3F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для LPM2301B3F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPM2301B3F даташит

 ..1. Size:229K  lowpower
 lpm2301b3f.pdf pdf_icon

LPM2301B3F

Preliminary Datasheet LPM2301 LPM2301 -20V/-2A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m (typ.)@VGS=-2.5V The LPM2301 is the P-channel logic enhancement -20V/-2.0A,RDS(ON)=130m (typ.)@VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced Super high density cell design for extremely low using high

 8.1. Size:238K  lowpower
 lpm2302b3f.pdf pdf_icon

LPM2301B3F

Preliminary Datasheet LPM2302 LPM2302 20V/3.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM2302 is N-channel logic enhancement mode 20V/3.5A, RDS(ON)=50m (Typ.)@VGS=4.5V power field effect transistor, which are produced by 20V/3.0A, R =75m (Typ.)@V =2.5V DS(ON) GS using high cell density, DMOS trench technology. Sup

Другие MOSFET... ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , ISZ0901NLS , SIHFP450A , SIHFP450LC , SIHFP460LC , IRFZ44 , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , LPM4953 , LPM8205B6F , LPM8205TSF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.