LPM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPM4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de LPM4953 MOSFET
LPM4953 Datasheet (PDF)
lpm4953.pdf

Preliminary Datasheet LPM4953 Dual P -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features The LPM4953 integrates two P-Channel enhancement Trench Technology MOSFET Transistor. It uses advanced trench PMOS: V =-15V DStechnology and design to provide excellent R R
Otros transistores... SIHFP450LC , SIHFP460LC , LPM2301B3F , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , 10N60 , LPM8205B6F , LPM8205TSF , LPM9021QVF , LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF .
History: AP2301EN | IRFU3708 | PSMN8R3-40YS | 2SK3283 | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU
History: AP2301EN | IRFU3708 | PSMN8R3-40YS | 2SK3283 | NCEP023NH85AGU | NCEP018NH30QU



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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