LPM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPM4953
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de LPM4953 MOSFET
LPM4953 Datasheet (PDF)
lpm4953.pdf

Preliminary Datasheet LPM4953 Dual P -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features The LPM4953 integrates two P-Channel enhancement Trench Technology MOSFET Transistor. It uses advanced trench PMOS: V =-15V DStechnology and design to provide excellent R R
Otros transistores... SIHFP450LC , SIHFP460LC , LPM2301B3F , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , 10N60 , LPM8205B6F , LPM8205TSF , LPM9021QVF , LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF .
History: HYG065N07NS1P | SML1248NC2A | HM4430A | BUZ310 | IRF200B211 | APTM50AM24SCG | IRFH5306
History: HYG065N07NS1P | SML1248NC2A | HM4430A | BUZ310 | IRF200B211 | APTM50AM24SCG | IRFH5306



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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