LPM4953 Todos los transistores

 

LPM4953 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPM4953
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de LPM4953 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LPM4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1204K  lowpower
lpm4953.pdf pdf_icon

LPM4953

Preliminary Datasheet LPM4953 Dual P -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features The LPM4953 integrates two P-Channel enhancement Trench Technology MOSFET Transistor. It uses advanced trench PMOS: V =-15V DStechnology and design to provide excellent R R

Otros transistores... SIHFP450LC , SIHFP460LC , LPM2301B3F , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , 10N60 , LPM8205B6F , LPM8205TSF , LPM9021QVF , LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF .

History: HYG065N07NS1P | SML1248NC2A | HM4430A | BUZ310 | IRF200B211 | APTM50AM24SCG | IRFH5306

 

 
Back to Top

 


 
.