Справочник MOSFET. LPM4953

 

LPM4953 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LPM4953
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для LPM4953

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPM4953 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1204K  lowpower
lpm4953.pdfpdf_icon

LPM4953

Preliminary Datasheet LPM4953 Dual P -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features The LPM4953 integrates two P-Channel enhancement Trench Technology MOSFET Transistor. It uses advanced trench PMOS: V =-15V DStechnology and design to provide excellent R R

Другие MOSFET... SIHFP450LC , SIHFP460LC , LPM2301B3F , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , 10N60 , LPM8205B6F , LPM8205TSF , LPM9021QVF , LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF .

History: TK290P65Y | APTM50AM24SCG | HM4430A | IRFH5306 | IRF200B211 | SML1248NC2A | BUZ310

 

 
Back to Top

 


 
.