LPM8205B6F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LPM8205B6F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.1 V
   Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.5 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

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LPM8205B6F Datasheet (PDF)

..1. Size:1172K lowpower
lpm8205b6f lpm8205tsf.pdf

Preliminary Datasheet LPM8205 Dual N -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features 100% EAS Guaranteed The LPM8205 integrates two N-Channel Green Device Available EnhancementMOSFET Transistor. It uses advanced trenchtechnology and design to provide Super Low Gate Charge excellentR with lowgate charge. This device is DS(ON) Excellent CdV/dt e

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Liste

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