LPM8205B6F Todos los transistores

 

LPM8205B6F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPM8205B6F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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LPM8205B6F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  lowpower
 lpm8205b6f lpm8205tsf.pdf pdf_icon

LPM8205B6F

Preliminary Datasheet LPM8205 Dual N -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features 100% EAS Guaranteed The LPM8205 integrates two N-Channel Green Device Available EnhancementMOSFET Transistor. It uses advanced trenchtechnology and design to provide Super Low Gate Charge excellentR with lowgate charge. This device is DS(ON) Excellent CdV/dt e

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History: 50N06FI | 2SK2534

 

 
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