Справочник MOSFET. LPM8205B6F

 

LPM8205B6F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LPM8205B6F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 7.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 95 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6

 Аналог (замена) для LPM8205B6F

 

 

LPM8205B6F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  lowpower
 lpm8205b6f lpm8205tsf.pdf

LPM8205B6F LPM8205B6F

Preliminary Datasheet LPM8205 Dual N -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features 100% EAS Guaranteed The LPM8205 integrates two N-Channel Green Device Available EnhancementMOSFET Transistor. It uses advanced trenchtechnology and design to provide Super Low Gate Charge excellentR with lowgate charge. This device is DS(ON) Excellent CdV/dt e

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top