Справочник MOSFET. LPM8205B6F

 

LPM8205B6F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LPM8205B6F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для LPM8205B6F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPM8205B6F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1172K  lowpower
 lpm8205b6f lpm8205tsf.pdf pdf_icon

LPM8205B6F

Preliminary Datasheet LPM8205 Dual N -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features 100% EAS Guaranteed The LPM8205 integrates two N-Channel Green Device Available EnhancementMOSFET Transistor. It uses advanced trenchtechnology and design to provide Super Low Gate Charge excellentR with lowgate charge. This device is DS(ON) Excellent CdV/dt e

Другие MOSFET... SIHFP460LC , LPM2301B3F , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , LPM4953 , IRF3710 , LPM8205TSF , LPM9021QVF , LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF , LPM9040A .

History: HFS8N80 | AO4926 | 2SK1294 | TK65S04K3L | IRFP2907 | IPD65R420CFD | TPD60R600MFD

 

 
Back to Top

 


 
.