LPM9435 Todos los transistores

 

LPM9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LPM9435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm

Encapsulados: SOP8

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LPM9435 datasheet

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LPM9435

Preliminary Datasheet LPM9435 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM9435 is the P-channel logic enhancement -30V/-5.8A,R =42m (typ.)@VGS=-10V DS(ON) mode power field effect transistors are produced using -30V/-4.0A,R =65m (typ.)@VGS=-4.5V DS(ON) high cell density, DMOS trench technology. This high Super high density ce

Otros transistores... LPM9021QVF , LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF , LPM9040A , LPM9042 , IRFP250N , LPM9926SOF , 2KJ7107DFN , 2KK5016 , AO6401-HF , FDC2512-HF , FDC3612-HF , KI2302 , KI2303 .

History: ME2309 | AO6602G | DH012N03I

 

 

 

 

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