LPM9435 Todos los transistores

 

LPM9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPM9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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LPM9435 Datasheet (PDF)

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LPM9435

Preliminary Datasheet LPM9435 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM9435 is the P-channel logic enhancement -30V/-5.8A,R =42m(typ.)@VGS=-10V DS(ON)mode power field effect transistors are produced using -30V/-4.0A,R =65m(typ.)@VGS=-4.5V DS(ON)high cell density, DMOS trench technology. This high Super high density ce

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History: IRF7466 | IRHM7450SE | JCS7N80FH | LPM9042 | IXTQ100N25P | IRFS251

 

 
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