LPM9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LPM9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LPM9435

LPM9435 Datasheet (PDF)

..1. Size:574K lowpower
lpm9435.pdf

Preliminary Datasheet LPM9435 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM9435 is the P-channel logic enhancement -30V/-5.8A,R =42m(typ.)@VGS=-10V DS(ON)mode power field effect transistors are produced using -30V/-4.0A,R =65m(typ.)@VGS=-4.5V DS(ON)high cell density, DMOS trench technology. This high Super high density ce

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Liste

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