LPM9435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LPM9435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 132 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOP8
LPM9435 Datasheet (PDF)
..1. Size:574K lowpower
lpm9435.pdf
lpm9435.pdf
Preliminary Datasheet LPM9435 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM9435 is the P-channel logic enhancement -30V/-5.8A,R =42m(typ.)@VGS=-10V DS(ON)mode power field effect transistors are produced using -30V/-4.0A,R =65m(typ.)@VGS=-4.5V DS(ON)high cell density, DMOS trench technology. This high Super high density ce
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
